失衡与均衡

磁控管通常被归类为“平衡”或“不平衡”。传统的磁控管通常是平衡型的是。的电子从磁阱逸出的能力由所述目标上方的等离子体中的空点的位置来确定。如果空点高的目标上方,有一个电子逃脱的机会不大和磁控管是平衡的。在这种情况下,存在在衬底上低的离子轰击(假设衬底被定位在零点以上)。如果空点接近目标表面时,电子可以逸出更容易和磁控管是不平衡的。不平衡的设计可以在相同的时间产生的沉积薄膜的高离子轰击。

窗口和Savvides是第一人正式承认和分类不平衡磁控管(见下图)。类型1是一个平衡的设计,其特征是延伸通过开放场线和超出目标表面。类型2是一个不平衡的设计,其特征是被所述目标表面的上方密闭闭合场线。



来源:乙窗口和N. Savvides,J. VAC。科学。TECHNOL。A4(2),196(1986)

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