平衡与不平衡

磁控管通常分为“平衡”和“不平衡”两种。传统的磁控管通常是平衡型的。电子逃脱磁阱的能力是由目标上方等离子体中零点的位置决定的。如果零点高于目标,电子逃逸的机会很小,磁控管是平衡的。在这种情况下,衬底上有低离子轰击(假设衬底位于零点之上)。如果零点接近目标表面,电子可以更容易地逃逸,磁控管不平衡。不平衡设计可以在沉积的同时产生高离子轰击薄膜。

Window和Savvides是第一个正式识别和分类不平衡磁控管的人(见下图)。类型1是一种平衡设计,其特点是在目标表面上延伸开场线。类型2是一种不平衡设计,其特点是封闭的场强线被限制在目标表面以上。



来源:B Window和N. Savvides, J. Vac。科学。抛光工艺。A4 (2), 196 (1986)

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