FFE的通知

Gencoa全脸侵蚀(FFE)磁性由等离子体在目标表面的扫描结合用干净的靶腐蚀的超均匀的膜。

圆形FFE的两个版本,具有独特的设计为75毫米-200毫米(3" 至8" ),其包括内部和外部安装选项,并且适合于R&d和光学器件的目标直径。

对于较大的底物,提供Gencoa在250毫米的靶的直径(10" )的圆形FFE和以上,在低靶 - 基板分离提供卓越的均匀性控制。 - 典型地50-70mm这种低靶 - 基板分离确保了高从靶材料转移到衬底快速晶片金属化的速率。

Gencoa的范围FFE磁控管克服许多传统的困难执行时高速率反应沉积,如结节生长速率,同时增加了总目标表面溅射区域经历。

良好的均匀性,以便溅射整个目标表面,和最大侵蚀在靶的外边缘与电动机驱动的动态等离子体扫描来实现的。没有与目标的生活没有统一的漂移。

高目标使用

目标用途是高(>上的6毫米目标50%),用干净的目标即使在反应性溅射和在目标表面上没有再沉积的区域,较少的弧和涂层缺陷的较低数目。靶使用的高达70%可以使用6" 圆形FFE磁控管(FFE150)来实现。

均匀度

均匀性的高速率与马达驱动的动态等离子体扫描以溅射整个目标表面,和最大侵蚀在靶的外边缘来实现。没有与目标的生活没有统一的漂移。

的均匀性将与靶到衬底的分离也有所不同。这也可以用于校正的均匀性作为目标消蚀并晶片尺寸。12" 圆形FFE磁控管(FFE300)可以沉积用1-3%的均匀性的层到200mm晶圆。

选项

Gencoa圆形FFE磁控管可从3" 至18" OD的目标,具有一定范围的可用机械选项。

  • 内部或外部安装
  • 倾斜轴安装
  • 注气
  • RF电源选项
  • 阳极冷却
  • 电机和控制器的选择
  • 快门 - 手动或自动
  • 溅射烟囱
  • 壁挂式穿心
  • 隐藏阳极

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