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Gencoa的VTech范围可用于2”到6”的目标直径,并允许通过简单的外部调整来改变目标表面的磁性能,这可以在过程中或沉积运行之间进行。

磁性的变化产生了不同的强度水平和离子辅助涂层过程,并允许薄膜结构的快速发展。独特的Vtech磁控管允许源的磁场属性的变量创建以下效果:

不平衡
不同的不平衡程度来调节生长膜的电子释放和离子轰击的水平。

平衡
减少对生长膜和基底的额外能量输入,并产生低轰击条件。

磁场强度
改变磁场强度以调节放电电压和电流。这可以用来补偿溅射靶腐蚀时放电电压的变化。

磁场形状
调节磁场形状,从而调节等离子体与阳极的相互作用,以调节最小操作压力、打击压力和灭火压力。

Vtech源通过操纵磁控管磁头内的永磁体产生这些效应。这在小型磁控管上是通过调节位于真空法兰大气侧的手动游标来实现的,而在大型磁控管上则是通过可编程控制器或PC接口的线性执行器来实现的。这允许在非常大的范围内进行即时和简单的调整。

调整可以在涂层运行前或在沉积过程中动态地进行,以优化薄膜的性能和性能。典型的例子是在形成粘附层时发生高轰击,而在体膜沉积时发生低轰击。

从工艺或涂层发展的观点来看,额外的优势是快速确定特定薄膜类型的最佳等离子体和沉积条件。这也允许在工艺参数方面的操作包络,以获得所需的薄膜性能可以迅速确定,并给出了等离子体条件对涂层性能的敏感性的概念。

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