圆形VTech

Gencoa的VTech范围适用于直径为2“至6”的目标,并允许通过简单的外部调整改变目标表面的磁性,可在过程中或沉积运行之间进行调整。

磁性的变化产生不同程度的强度和离子对涂层过程的辅助作用,并允许薄膜结构的快速发展。独特的Vtech磁控管允许源的磁场特性变量产生以下效果:

不平衡
调节生长薄膜的电子释放和离子轰击水平的可变不平衡度。

均衡
减少对生长薄膜和衬底的额外能量输入,并产生低轰击条件。

场强
改变磁场强度以调整放电电压和电流。这可以用来补偿溅射靶腐蚀时放电电压的变化。

磁场形状
调整磁场形状,从而调整等离子体与阳极的相互作用,以调整最小工作压力、冲击压力和灭火压力。

Vtech源通过操纵磁控管磁头内的永磁体产生这些效应。这是通过调整真空法兰大气侧的手动游标在小型磁控管源上实现的,通过可编程控制器或PC接口通过线性执行器在大型磁控管上实现的。这允许在很宽的范围内进行即时和简单的调整。

调整可以在涂层运行前进行,也可以在沉积过程中动态进行,以优化薄膜性能和性能。一个典型的例子是在粘合层形成期间具有高轰击,而在体膜沉积期间具有低轰击。

从工艺或涂层发展的角度来看,另一个优势是快速确定特定薄膜类型的最佳等离子体和沉积条件。这也允许在工艺参数方面的操作包络线能够快速确定所需的薄膜特性,并给出等离子体条件对涂层性能的敏感性。

陈列室

相关应用

即将举行的活动

  • 2021年10月12日至14日-V2021
  • 2021年10月17日至21日-美国AIMCAL R2R会议
  • 2022年2月17日-NCCAVS 2022年度设备展览会
  • 2022年4月30日至5月5日-SVC Techcon 2022
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