圆形的离子源

Gencoa的IMC75是一种无栅和自中和的圆形离子源，标志着离子刻蚀的新一代。

该IMC75拥有一个长维护周期-在无反应和惰性环境-并有一个操作范围高达90mA和高达3kV。

没有污染，使产品适合半导体应用。其他应用包括基板预清洗，离子辅助，蚀刻/纹理和PACVD沉积。

该IMC75是容易安装，与1"轴安装和外径5"，是一个理想的对Gencoa的新3"和4"圆形全面侵蚀磁控管。

关键特性

• 反向磁控管离子束
• 自中和离子束
• 大压力范围内工作压力(E-4至e - 3mbar)
• 倾斜头离子角度控制
• 稳定的离子束电流和离子束能量分布
• 反馈控制
• 气源可能有多种
• 没有污染
• 适合半导体行业

IMC75离子蚀刻应用

• Nanotexturing
• 涂层去除
• 提高涂层附着力
• 协助ITO和银沉积
• PACVD - DLC沉积
• 离子束沉积

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