离子轰击

薄膜涂层的离子轰击依赖于磁控管的分类(即平衡或不平衡的程度)。离子轰击的最佳水平可以通过使用K因子来确定模拟).K因子描述了磁控管在磁场中保留电子的能力。如果K因子很大,磁控管是平衡的,因此电子不能轻易逃脱,因为它们被一系列延伸到目标表面之外的磁场所限制,离子轰击低。如果K因子很小,则相反:磁控管是不平衡的,离子轰击很高。

离子轰击对于某些应用是非常有益的,原因有很多。它能使涂层致密,有助于等离子体反应和化合物的形成,还能提高涂层的附着力。使用Gencoa VTech磁控管可以找到离子轰击的最佳水平。这使得磁场在高度平衡和高度不平衡之间变化。一旦达到了要求的水平,固定磁控管就可以以最佳的平衡或不平衡程度生产出理想的薄膜结构。

VTech磁控管的三个位置显示平衡/不平衡的水平。

矩形磁控管表现出高离子轰击下的不平衡效应

阳极效应

阳极相对于靶的位置对衬底的离子轰击有很强的影响。阳极可以与等离子体相互作用,以增加或减少离子轰击。阳极的位置总是特定于每个设计,因为相互作用可能是有害的或有益的,这取决于工艺要求。

阳极相互作用控制离子轰击

VTech磁控管的磁场变化

随着磁场的变化,阳极相互作用也在变化。在上图中,随着磁控管变得更加不平衡,与磁场的相互作用减弱,在阳极边缘和限制等离子体的最后一条磁场线之间出现了间隙。例如,这对非导电氧化物的稳定性有影响。离子轰击的程度从左到右递增。

即将来临的事件

  • 2022年2月17日- NCCAVS 2022年度装备展览会
  • 2022年4月30日至5月5日——SVC Techcon 2022
  • 2022年6月29 - 30日-先进材料展
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