离子轰击

薄膜涂层的离子轰击取决于磁控管分类(即平衡程度或不平衡)。可以通过使用K因子来确定离子轰击的最佳水平(参见模拟)。K因子描述了磁控管在磁场中保持电子的能力。如果K系数很大,磁控管是平衡的,因此电子不能容易地逃逸,因为它们被延伸超过目标表面的一系列磁场,并且离子轰击低。如果K因子很小,则相反:磁控管是不平衡的,并且离子轰击很高。

由于多种原因,离子轰击对于某些应用来说可能非常有益。它致密涂层,有助于等离子体反应性和化合物形成,还可以改善涂层粘附。可以使用Gencoa VTECH磁控管找到最佳离子轰击水平。这使得能够在高度平衡和高度不平衡之间的磁场变化。一旦实现所需的水平,可以为生产目的制造固定的磁控管,以产生理想的薄膜结构的最佳平衡度或不平衡。

VTECH磁控管的三个位置显示平衡/不平衡水平。

矩形磁控磁控磁阻显示与高离子轰击的不平衡效果

阳极效应

阳极相对于靶的位置对基材的离子轰击具有很强的影响。阳极可以与等离子体相互作用以增加或减少离子轰击。阳极位置始终特定于每个设计,因为相互作用可能是有害的或有益的,这取决于过程要求。

阳极相互作用控制离子轰击

VTECH磁控管磁场的变化

随着磁场变化,阳极相互作用也是如此。在上面的图中,随着磁控管变得更加不平衡,与场的相互作用减小,并且在阳极的边缘和限制等离子体的最后磁场线之间出现间隙。这具有例如非导电氧化物的稳定性的影响。离子轰击水平从左到右增加。

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