离子轰击

薄膜涂层的离子轰击取决于磁控管分类(即平衡或不平衡的程度)。离子轰击的最佳水平可以通过使用K因子来确定(见模拟)。K因子描述了磁控管的磁场保留电子的能力。如果K系数是大的,磁控管被平衡,因此,因为它们是由一系列超出目标表面延伸以及与离子轰击是低磁场的限制的电子不能容易地逸出。如果K因子是小的正好相反:磁控管是不平衡的,离子轰击是高的。

离子轰击可用于多种原因一些应用极为有利。它致密化涂层,助剂等离子反应性和化合物的形成,并且还可以提高涂料的粘附力。离子轰击的最佳电平可以使用Gencoa易达磁控管被发现。这使得之间的高度平衡和极不平衡的磁场变化。一旦所需的电平已经达到了,固定磁控管可以制造用于生产目的与平衡不平衡或创造理想的膜结构的最佳程度。

对于伟易达磁控显示平衡/不平衡的水平三个位置。

矩形磁控管示出具有高的离子轰击不平衡效果

阳极效应

阳极相对于所述目标的位置对基板的离子轰击较强的影响。阳极可与等离子体相互作用,以增加或减小离子轰击。阳极位置总是特定于每个设计由于相互作用可能是有害的或取决于工艺要求有益的。

通过阳极相互作用的离子轰击的控制

变化磁场伟易达磁控

作为磁场发生变化,所以不会在阳极相互作用。在上面的情况,因为磁控管变得更不平衡,与场的相互作用降低,出现在阳极的边缘与最后一个磁场线约束等离子体之间的间隙。这具有影响,例如,在非导电氧化物的稳定性。离子轰击增加从左至右水平。

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