磁选项

有效的磁控溅射依赖于一个适当的磁场设计的最佳工艺操作。Gencoa为所有溅射应用提供了广泛的磁性选择。

平衡

平衡(SW)源包含一个传统类型的2极磁阵列,它在目标表面产生一个有效的磁阱,并最大限度地减少来自源的电子和等离子体损失,避免过多的等离子体轰击到衬底上。

不平衡

不平衡(PP)磁阵列改变磁场的形状,允许一些等离子体电子向衬底释放,为涂层过程提供离子协助。

高收益

高成品率(HY)可选磁阵列将目标利用率从标准2极磁的通常20%-25%提高到35-50%。增强的目标用途是通过磁系统内的额外磁极来变形和平整目标表面的磁场结构。

高均匀度

根据特定的靶尺寸、基片尺寸和靶与基片之间的分离,可以设计磁阵列以在基片上提供指定的均匀性。根据磁场形状对涂层均匀性进行了模拟。

射频

射频溅射通常应用于绝缘或低导电性目标。在射频溅射中,等离子体固有的增强电离可以导致非常低的目标电压,这可能导致低速率。一个适当的射频阴极设计将包括一个特定的磁场设计,这将影响溅射和工艺的产出效率,包括均匀性和涂层率。

高强度

高强度磁材料在目标表面提供500-1000G的磁场强度,适用于铁磁靶溅射、低压溅射、低压溅射等应用。

循环

环磁靶的设计克服了铁磁靶材料溅射的问题。该选项可以溅射镍、钴、铁等靶材,其厚度通常是传统超高强度磁控管的2-4倍,与标准靶材相比,目标成品率增加30%以上。在环磁中,目标本身成为磁阵列和磁设计的有源部分。

用金属处理

Metallizer magnetics为非磁性材料的溅射提供了高目标利用率,同时延长了生产过程时间。

全脸侵蚀

FFE magnetics通过电机驱动的动态等离子体扫描改善目标侵蚀和均匀性,允许整个目标表面溅射,最大限度地扩大目标外边缘的侵蚀。不存在与目标寿命漂移的均匀性。

伟易达集团/ VT-ER

独特的VTech磁学允许源磁场特性的变量进行调整,产生以下效果:可变程度的不平衡,以调整生长膜的电子释放和离子轰击水平;平衡的变化,以减少额外的能量输入到生长膜和基板,并产生低轰击条件;磁场强度的变化是为了调节放电电压和电流。一种控制平衡/不平衡程度的新变化是通过变磁外部驱动实现的。

产品宣传册

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