磁选项

有效磁控溅射依赖于适当的磁场设计为最佳的工艺操作。Gencoa提供各种各样的所有溅射应用磁选项。

均衡

平衡(SW)源包含一常规类型的,其产生在从源的目标表面,并最小化电子和等离子体损失的高效磁阱,避免过度的等离子体轰击到基板2上极磁性阵列。

不平衡

不平衡(PP)磁性阵列改变磁场的形状,以允许一些等离子体电子的释放朝向基底以提供用于涂覆工艺离子辅助。

高产

的高收率(HY)可选磁性阵列从典型地为20%-25%增加目标利用率为标准的2个极磁到35-50%。通过附加的磁极在磁性系统内产生的增强的目标使用变形并变平的磁场结构在目标表面上。

高均匀性

基于特定的目标的大小,基板尺寸和定位到基板分离,磁阵列可以被设计成提供在基板上的规定的均匀性。涂层的均匀性是基于磁场形状模拟。

RF

RF溅射通常被施加到绝缘或低导电性的目标。在RF溅射法,在等离子体的固有增强电离可能会导致非常低的目标电压这可能导致低速率。足够的RF阴极设计将包括一个特定的磁场的设计,这将影响到溅射和工艺产率效果,包括均匀度和涂覆速率。

高强度

高强度的磁性元件在目标表面上提供500-1000G的磁场体力,和适合于应用,如铁磁靶溅射,低压溅射,低压溅射。

循环

环路磁和目标设计克服溅射铁磁靶材料的问题。这个选项可以溅射镍,钴,铁等的通常2-4次目标常规非常高的强度的磁控管的超过30%的目标产量增加的厚度与标准目标。在LOOP磁学,靶本身变得与磁阵列和磁性设计的有效部分。

喷镀金属

喷镀金属磁性提供高的靶使用用于溅射非磁性材料的,而对于生产过程延伸倍。

全断面侵蚀

FFE磁性提高通过马达驱动的动态等离子体扫描,其允许待溅射整个目标表面,在靶的外边缘最大化侵蚀靶侵蚀和均匀性。没有与目标的生活没有统一的漂移。

伟易达/ VT-ER

独特易达磁性允许源的磁场属性的变量进行调整,产生以下的效果:不平衡的可变程度,以调节电子释放和生长膜的离子轰击的电平;平衡的变化,为了减少额外的能量输入到生长膜和底物和产生低轰击条件;为了调节放电电压和电流的磁场强度的变化。一个新的变化控制平衡/非平衡的程度是通过VT-ER外部致动的磁性元件来实现的。

找到我们

Gencoa的主要工厂位于南利物浦。点击方向>