磁选项

有效的磁控溅射依赖于适当的磁场设计以实现最佳的工艺操作。Gencoa为所有溅射应用提供多种磁性选择。

平衡

一个平衡(SW)源包含一个传统类型的2极磁阵列,它在目标表面产生一个有效的磁阱,并最大限度地减少来自源的电子和等离子体损失,避免过量的等离子体轰击基板。

不平衡

不平衡(PP)磁阵改变了磁场的形状,允许一些等离子体电子向基板释放,为涂层过程提供离子辅助。

高收益

高成品率(HY)可选磁阵列将目标利用率从标准2极磁体的20%-25%提高到35-50%。增强目标的使用是通过磁系统内的附加磁极来变形和平坦目标表面的磁场结构。

高均匀度

根据特定的目标尺寸、基片尺寸和目标对基片的分离,可以设计一种磁阵列,使基片上具有指定的均匀性。根据磁场形状模拟镀层均匀性。

射频

射频溅射通常用于绝缘或低导电靶。在射频溅射中,等离子体固有的增强电离会导致目标电压很低,从而导致低速率。一个充分的射频阴极设计将包括一个特定的磁场设计,这将影响溅射和工艺的成品率,包括均匀性和涂层率。

高强度

高强度磁学可将500-1000G的磁场强度传递到靶表面,适用于铁磁靶溅射、低压溅射、低压溅射等应用。

循环

LOOP磁靶设计克服了铁磁靶材料的溅射问题。该选项可以溅射Ni, Co, Fe等靶材,其厚度通常是传统超高强度磁控管的2-4倍,与标准靶材相比,靶材收率提高超过30%。在回路磁学中,目标本身成为磁阵和磁设计的有源部分。

用金属处理

金属化磁性材料提供了高靶利用率的溅射非磁性材料,同时延长了生产的过程时间。

全脸侵蚀

FFE磁学通过电机驱动的动态等离子体扫描改善目标的侵蚀和均匀性,允许整个目标表面溅射,最大限度地侵蚀目标的外缘。目标寿命不存在均匀漂移。

伟易达集团/ VT-ER

独特的VTech磁学允许调节源的磁场属性变量,产生以下效果:可变的不平衡程度,以调整生长膜的电子释放和离子轰击水平;平衡的变化,减少对生长膜和基质的额外能量输入,产生低轰击条件;磁场强度的变化,以调整放电电压和电流。一种新的变化控制平衡/不平衡的程度是通过VT-ER外部驱动磁实现的。

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