磁控溅射原理

溅射的概念最早是由Grove(1852)和Plücker(1858)提出的,他们报道了通过“溅射”或“阴极衰变”使金属薄膜汽化和成膜。

1902年,托马斯·爱迪生首次将金溅射到硬蜡记录介质上进行商业应用。

然而,直到20世纪70年代,由于半导体固态技术的发展和80年代光学记录介质的引入,磁控溅射才得到更广泛的应用。bob软件下载苹果

溅射的基本过程是将磁控管及其靶材料与衬底一起置于真空室中,在衬底上沉积薄膜。

磁控溅射通常是一种物理气相沉积方法,在这种方法中,目标上的材料被移除,并通过对目标的高能碰撞作用转移到衬底上。

电离发生在等离子体内部,由于与电子的碰撞,离子被吸引到一个负偏压的目标,产生高能碰撞,这去除目标材料进入气相。

在磁控溅射中,等离子体中的电子受到磁场和电场陷阱的限制。

溅射是一种广泛应用的过程,从食品包装的涂层,以防止水分和氧气的包装和保存所含的食品,到抗刮涂层,通常用于玻璃和触摸屏。

与其他沉积技术相比,磁控溅射沉积技术具有显著的优势,如可使用的目标材料范围和涂层的耐久性。

随着技bob软件下载苹果术的不断进步,所能实现的涂料质量也在不断提高,目标利用率提高,可靠性提高,从而延长了工艺过程,降低了成本。

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