等离子体处理器

Gencoa提供一系列的等离子预处理和蚀刻设备的各种应用。

设备分为不同的功率模式和磁设计:

  • 高压(>+1kV)直流低电流反向磁控管型离子源
  • 基于直流磁控管的等离子体预处理-用于高功率塑料网预处理的磁控管器件
  • 用于塑料网预处理的交流型双阴极型等离子体预处理器
  • 用于金属网基板的正直流和脉冲直流反向磁控管基板离子蚀刻器
  • AC型PECVD源可用于各种CVD宣誓
  • 适用于所有材料类型的HipV+正高电流脉冲型预处理
  • 射频功率

基于直流磁控管的等离子体预处理-用于高功率塑料网预处理的磁控管器件

基于平面磁控管的溅射装置配置为提供高功率等离子体激活快速移动的卷筒纸材料,以提高涂层附着力。典型的等离子电源模式是直流或脉冲直流。靶材为不锈钢或钛,以降低溅射速率。

如果预处理源位于解卷区域,压力约为10E2毫巴,附加绝缘使用周围的源,以防止杂散放电。

气体注入应位于目标区域,可选的气体密封箱也可提供,以限制涂层材料的泄漏到展开区域。容器很容易清洁,并设计保留涂层材料,以防止碎片。

用于塑料网预处理的交流型双阴极型等离子体预处理器

一种高能等离子体预处理是双电极交流放电。Gencoa的交流等离子体处理结合了磁激活、高压交流型开关电源,用于引导电子和等离子体到衬底表面。双电极交流型等离子体在处理沉重的排气网络材料更稳健,因为他们是稳定的完全反应模式。

电极是水冷不锈钢管和不同大小的源,可选择磁角度调整较大的源。

AC型PECVD源可用于各种CVD宣誓

等离子体CVD源使用相同的开关AC型电源模式,既可用于低轰击HMDSO聚合物的活化,也可用于高轰击SiO2型层的产生。该源采用磁性增强,是两个独立的电极,因此位置可以根据不同的应用进行调整。此外,磁耦合和交流放电电压可根据不同的应用进行调整。

HipV+适用于所有材料类型的正高电流脉冲预处理

的HipV+是一个令人兴奋的新发展基于Hipims型功率模式与应用的正偏置电压的差异。正电压脉冲将电子从加工室带向源,并排斥以高能量和高电流密度轰击衬底的正离子。该源仍在Gencoa内部开发阶段,但已用于Optix等离子气体传感器。该方法以专利申请为准。

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