等离子体处理器

Gencoa为各种应用提供一系列基于等离子体的预处理和蚀刻设备。

该设备分为不同的功率模式和磁性设计:

  • 高电压(>+1kV)直流低电流反向磁控管型离子源
  • 基于直流磁控管的等离子体预处理。塑料网大功率预处理用磁控管装置
  • 交流型双阴极型等离子体前处理机,用于塑料卷筒前处理
  • 金属网衬底的正直流和脉冲直流反向磁控管衬底离子蚀刻器
  • AC型PECVD源可用于各种CVD沉积
  • 所有材质均采用HipV+正电流脉冲式预处理
  • 射频功率

基于直流磁控管的等离子体预处理。塑料网大功率预处理用磁控管装置

设计了一种基于平面磁控管的溅射装置,用于对快速移动的卷筒材料进行高功率等离子体激活,以提高涂层的附着力。典型的等离子体功率模式是直流或脉冲直流。靶材为不锈钢或钛,以降低溅射速率。

如果预处理源位于放卷区域,压力约为10E-2Mbar,在电源周围使用额外的绝缘,以防止杂散放电。

气体喷射应该位于目标区域,并且可选的气体密封盒也提供限制涂层材料逃逸到放卷区域。容器盒易于清洁,并设计保留涂层材料,以防止碎片。

交流型双阴极型等离子体前处理机,用于塑料卷筒前处理

一种更高能的等离子体预处理是双电极交流型放电。Gencoa交流等离子体处理器结合了磁激活、高压交流型开关电源,用于引导电子和等离子体到基片表面。双电极交流型等离子体在处理从卷筒材料重放气更稳健,因为他们在完全反应模式下是稳定的。

电极是水冷不锈钢管和不同尺寸的源可选择磁角度调整较大的源。

AC型PECVD源可用于各种CVD沉积

在等离子体CVD源中使用相同的开关AC型功率模式,既可用于低轰击HMDSO聚合物的活化,也可用于高轰击SiO2型层的生成。该源使用磁性增强,并且是两个独立的电极,因此可以根据不同的应用调整其位置。此外,磁耦合和交流放电电压可根据不同的应用场合进行调整。

HipV+所有材质均采用正强电流脉冲预处理

的HipV+是一种基于Hipims型功率模式的令人兴奋的新发展,不同的是施加了一个正偏置电压。正电压脉冲带电子从过程室向源和排斥正离子轰击衬底在高能量和高电流密度。该源仍处于Gencoa内部开发阶段,但已用于Optix等离子气体传感器。该方法受制于专利申请。

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即将来临的事件

  • 2022年2月17日- NCCAVS 2022年度装备展览会
  • 2022年4月30日至5月5日——SVC Techcon 2022
  • 2022年6月29 - 30日-先进材料展
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