等离子体处理器

Gencoa为各种应用提供一系列基于等离子体的预处理和蚀刻设备。

这些设备分为不同的功率模式和磁性设计:

  • 高电压(>+1kV)直流低电流倒磁控管型离子源
  • 基于直流磁控管的等离子体预处理-用于塑料网大功率预处理的磁控管装置
  • 交流型双阴极型等离子体塑料卷材预处理机
  • 正直流和脉冲直流反向磁控管衬底离子蚀刻金属网衬底
  • AC型PECVD源可用于各种CVD沉积
  • HipV+正大电流脉冲式预处理,适用于所有材料类型
  • 射频功率

基于直流磁控管的等离子体预处理-用于塑料网大功率预处理的磁控管装置

一种基于平面磁控管的溅射装置被配置为提供高功率等离子体激活快速移动的网材,以提高涂层的附着力。通常等离子体功率模式为直流或脉冲直流。靶材为不锈钢或钛,以降低溅射率。

若预处理源位于退绕区,压力约为10E-2Mbar,在源周围使用额外的绝缘,以防止杂散放电。

气体注入应位于目标区域,可选的气体密封盒也可用于限制涂层材料逃逸到退卷区域。该容器易于清洁,并设计为保留涂层材料,以防止碎片。

交流型双阴极型等离子体塑料卷材预处理机

一种能量更高的等离子体预处理是双电极交流放电。Gencoa交流等离子体处理器结合了磁激活、高压交流型开关电源,用于引导电子和等离子体到衬底表面。双电极交流型等离子体在处理网络材料的大量气体排放时更加健壮,因为它们在完全反应模式下是稳定的。

电极是水冷不锈钢管和不同尺寸的来源,可选择磁角度调整较大的来源。

AC型PECVD源可用于各种CVD沉积

等离子体CVD源使用相同的开关交流型电源模式,可用于低轰击HMDSO类聚合物的激活和高轰击SiO2类型的层生成。该源使用磁增强,并有两个独立的电极,因此可以根据不同的应用调整位置。此外,磁耦合和交流放电电压可根据不同的应用进行调整。

HipV+正的高电流脉冲式预处理,适用于所有材料类型

的HipV+是一个令人兴奋的新发展基于Hipims型电源模式与应用一个正偏置电压的不同。正电压脉冲将电子从工艺室带向源,并排斥以高能和高电流密度轰击基板的正离子。该源仍处于Gencoa内部开发阶段,但已用于Optix等离子气体传感器。该方法需要申请专利。

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