等离子测井

Gencoa为各种应用提供基于基于等离子体的预处理和蚀刻装置。

该设备分为不同的电源模式和磁性设计:

  • 高压(> + 1KV)直流低电流倒置磁控型离子源
  • 基于DC磁控管的等离子体预处理 - 用于高功率预处理的磁控器装置塑料网
  • AC型双阴极型等离子体预处理用于塑料网预处理
  • 用于金属网基材的正DC和脉冲直流的倒置磁控衬底离子蚀刻器
  • AC型PECVD源可用于各种CVD沉积
  • 所有材料类型的HIPV +正高电流脉冲型预处理
  • RF Power.

基于DC磁控管的等离子体预处理 - 用于高功率预处理的磁控器装置塑料网

基于平面磁控管的溅射装置,用于提供快速移动的网状材料的高功率等离子体激活,以改善涂层粘附。通常,等离子体电源模式是DC或脉冲DC。目标材料是不锈钢或钛,以降低溅射速率。

如果预处理源位于未展开区域,并且压力约为10e-2MBAR,围绕源使用额外的绝缘,以防止杂散放电。

气体注入应位于目标区域,可选择的气体容纳盒,也可以提供限制涂层材料到展开区域的逸出。遏制箱易于清洁和设计,以保留涂层材料以防止碎屑。

AC型双阴极型等离子体预处理用于塑料网预处理

更精力的等离子体预处理是双电极交流型放电。GencoA交流等离子体处理器将磁激活,高压交流型开关电力组合,用于引导电子和等离子体到基板表面。双电极AC型等离子体在处理幅材材料中的重分配时更加稳健,因为它们在完全反应模式下稳定。

电极是水冷不锈钢管,不同尺寸的源可选择较大源上的磁角度调节。

AC型PECVD源可用于各种CVD沉积

使用相同的切换交流型功率模式对于等离子体CVD来源可用于低轰击HMDSO聚合物,如激活,也可以是高轰击SiO2型层创造。该来源使用磁性增强,并且是两个单独的电极,从而可以调节位置以用于不同的应用。另外,针对不同的应用调整了磁耦合和交流放电电压。

HIPV.+所有材料类型的正高电流脉冲型预处理

HIPV.+是基于Hipims型电源模式的令人兴奋的新开发,其差异施加正偏置电压。正电压脉冲从处理室向源的电子带有电子,并在高能量和高电流密度下轰击基板的正离子。源仍处于Gencoa内部开发阶段,但在Optix等离子煤气传感器中使用。该方法受专利申请。

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产品手册

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